发明名称 焊垫开口与保险丝开口之形成方法
摘要 一种焊垫开口与保险丝开口之形成方法,系在已形成有焊垫与保险丝之晶圆上形成保护层,之后,进行一次微影、蚀刻制程,移除部分位于焊垫上方之保护层。接着,于保护层上形成一层晶圆保护层,再进行一次曝光显影步骤,以移除位于焊垫上方以及保险丝上万的晶圆保护层,使晶圆保护层图案化。接着,利用晶圆保护层为罩幕进行蚀刻,以完全移除位于焊垫上方之保护层,暴露出焊垫,以及移除位于保险丝上方之部分保护层,完成焊垫开口与保险丝开口之制作。
申请公布号 TW481836 申请公布日期 2002.04.01
申请号 TW090110807 申请日期 2001.05.07
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 王坤池;吴德源
分类号 H01L21/02 主分类号 H01L21/02
代理机构 代理人 詹铭文 台北巿罗斯福路二段一○○号七楼之一
主权项 1.一种焊垫开口与保险丝开口之形成方法,包括:提供已形成有一焊垫与复数个保险丝之一晶圆;于该晶圆之上形成一保护层,以覆盖该焊垫与该些保险丝;于该保护层上形成一光阻层,该光阻层中具有一第一开口,该第一开口对应于该焊垫之上方,并裸露出该焊垫上方之该保护层;利用该光阻层为罩幕,进行一第一蚀刻步骤,移除位于该焊垫上方之部分该保护层,以在该保护层之中形成一第二开口,该第二开口对应于该焊垫上方,且该第二开口未裸露出该焊垫;去除该光阻层;于该保护层之上形成一晶圆保护层,该晶圆保护层中形成有一第三开口与一第四开口,该第三开口大于该第一开口且对应于该焊垫上方,并且裸露出该焊垫上方之该保护层,该第四开口对应于该些保险丝上方,并且裸露出该些保险丝上方之该保护层;以及利用该晶圆保护层为罩幕,移除位于该焊垫上方之该第三开口所裸露之该保护层,以形成裸露出该焊垫之该焊垫开口,并且移除位于该些保险丝上方之该第四开口所裸露之部分该保护层,以形成未裸露出该些保险丝之该保险丝开口。2.如申请专利范围第1项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中形成该晶圆保护层之方法包括:在该保护层上形成一晶圆保护材料层;以及进行一曝光显影步骤,移除位于该焊垫上方及位于该些保险丝上方之该晶圆保护材料层,以形成具有该第三开口与该第四开口之该晶圆保护材料层。3.如申请专利范围第1项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该晶圆保护层之材质包括聚亚醯胺。4.如申请专利范围第1项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该保护层系由至少一层以上之一绝缘材料所构成。5.如申请专利范围第4项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该绝缘材料之材质系选自于氮化矽、氧化物与氮氧化合物所组成之族群其中之一。6.一种焊垫开口与保险丝开口之形成方法,包括:提供已形成有一焊垫与复数个保险丝之一晶圆;于该晶圆之上形成一保护层,以覆盖该焊垫与该些保险丝;移除位于该焊垫上方之部分该保护层,以在该保护层中形成底部未裸露出该焊垫之一开口;于该保护层之上形成一晶圆保护层;图案化该晶圆保护层,以移除位于该焊垫上方及位于该些保险丝上方之该晶圆保护层,暴露出部分该保护层;以及利用该晶圆保护层为罩幕,进行一第二蚀刻步骤,移除位于该焊垫上方之该保护层,以形成裸露出该焊垫之该焊垫开口,并且移除位于该些保险丝上方之部分该保护层,以形成未裸露出该些保险丝之该保险丝开口。7.如申请专利范围第6项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中移除位于该焊垫上方之该保护层之方法包括:在该保护层上形成一光阻层;进行一曝光显影步骤,移除位于该焊垫上方之该光阻层,裸露部分该保护层;进行一蚀刻步骤,移除裸露之部分该保护层,以形成底部未裸露出该焊垫之该开口;以及移除该光阻层。8.如申请专利范围第6项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中图案化该晶圆保护层之方法包括:在该保护层上形成一晶圆保护材料层;以及进行一曝光显影步骤,移除位于该焊垫上方及位于该些保险丝上方之该晶圆保护材料层,暴露出部分该保护层。9.如申请专利范围第6项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该晶圆保护层之材质包括聚亚醯胺。10.如申请专利范围第6项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该保护层系由至少一层以上之一绝缘材料所构成。11.如申请专利范围第10项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该绝缘材料之材质系选自于氮化矽、氧化物与氮氧化合物所组成之族群其中之一。12.一种焊垫开口与保险丝开口之形成方法,包括:提供已形成有一焊垫与复数个保险丝之一晶圆;于该晶圆之上形成一保护层,以覆盖该焊垫与该些保险丝;进行一微影蚀刻步骤,移除位于该焊垫上方之部分该保护层,以在该保护层之中形成一开口,该开口对应于该焊垫上方,且该开口未裸露出该焊垫;于该保护层之上形成一晶圆保护层;进行一曝光显影步骤,移除位于该焊垫上方及位于该些保险丝上方之该晶圆保护材料层,暴露出部分该保护层;以及利用该晶圆保护层为罩幕,移除位于该焊垫上方之该保护层,以形成裸露出该焊垫之该焊垫开口,并且移除位于该些保险丝上方之部分该保护层,以形成裸露出该保护层之该保险丝开口。13.如申请专利范围第12项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该晶圆保护层之材质包括聚亚醯胺。14.如申请专利范围第12项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该保护层系由至少一层以上之一绝缘材料所构成。15.如申请专利范围第14项所述之焊垫开口与保险丝开口之形成方法,其中该绝缘材料之材质系选自于氮化矽、氧化物与氮氧化合物所组成之族群其中之一。图式简单说明:第1图至第3图所示为本发明之一较佳实施例之焊垫开口与保险丝开口之形成方法的示意图。
地址 新竹科学工业园区新竹市力行二路三号