| 主权项 |
1.一种气体检测器,包括:一个矽基质其具有经由形成图形达到预定深度所形成之一个凹进处;经形成在矽基质顶上(除去凹进处)之一绝缘层;第一导电性形成图形之层交叉该凹进处并予以固定至绝缘层上而与矽基质成电之隔离;第二导电性形成图形之层交叉该凹进处并予以固定至绝缘层上而与矽基质和第一导电性形成图形层成电之隔离;及经形成在第一和第二导电性形成图形之各层的两预定部份上之气体探测部份。2.如申请专利范围第1项之气体检测器,其中使用第一导电性形成图形之层用以供应热至气体探测部份。3.如申请专利范围第2项之气体检测器,其中使用第二导电性形成图形之层作为检测线路用以根据气体之状态而探测气体探测部份的改变。4.如申请专利范围第3项之气体检测器,其中第一导电性形成图形之层盖覆第二导电性形成图形之层。5.如申请专利范围第1项之气体检测器,其中矽基质具有<100>的晶体定向。6.如申请专利范围第1项之气体检测器,其中第一和第二形成图形之层另外包括予以电连接至外部电路上之一对的金属垫。7.如申请专利范围第6项之气体检测器,其中第一和第二导电性形成图形之层系选自下列所构成之族群的材料所造成:铂(Pt)、经掺杂以金(Au)或铂(Pd)之镍(Ni)、及经掺杂以硼之多晶矽。8.如申请专利范围第1项之气体检测器,其中将第一和第二导电性形成图形之层形成为平行直线之形状,或成为经嵌入第一导电性形成图形之层的凹形空间中之第二导电性形成图形层的形状,或成为经嵌入第一导电性形成图形层的一个凹形空间或两个凹形空间中之第二导电性形成图形层的形状。9.如申请专利范围第1项之气体检测器,其中绝缘层系由选自下列所构成之族群之材料所造成:氧化矽、氮化矽和碳化矽。10.一种用以制造气体检测器之方法,该方法包括下列步骤:a)形成一绝缘层在矽基质上;b)经由将一部份的绝缘层形成图形而形成一个窗口;c)形成第一与第二金属图形在经由窗口所显露之矽基质上及绝缘层上;d)经由浸渍矽基质入硷性水溶液中而将显露于窗口之基质形成图形及形成具有窗形状之一个凹进处而将第一与第二金属圆形与矽基质分开;及e)形成一个探测气体之部份在经形成在凹进处上之第一与第二金属图形两者之预定部份上。11.如申请专利范围第10项之方法,其中矽基质具有<100>之晶体定向。12.如申请专利范围第10项之方法,其中绝缘层系由选自下列所构成之族群之材料所造成:氧化矽、氮化矽和碳化矽。13.如申请专利范围第10项之方法,其中第一和第二导电性形成图形之层系选自下列所构成之族群的材料所造成:铂(Pt)、经掺杂以金(Au)或铂(Pd)之镍(Ni)及经掺杂以硼之多晶矽。14.如申请专利范围第10项之方法,其中将第一导电性形成图形之层与第二导电性形成图形之层成电之隔离。15.如申请专利范围第10项之方法,其中硷性水溶液是氢氧化钾或乙二胺与邻苯二酚的混合物。图式简单说明:第1图习用之气体检测器的截面图;第2图是依照本发明之气体检测器的透视图;第3A至3E图是沿着第1图中之I-I线所取之各个截面图,特举出制造本发明之气体检测器之方法;及第4A至4F是依照本发明之具体实施例,气体检测器的探测部份之各截面图。 |
