Integrierter Schaltkreis, der FinFETs mit verschiedenen Finnenprofilen umfasst

摘要

Die vorliegende Erfindung umfasst einen integrierten Schaltkreis. Der integrierte Schaltkreis umfasst ein Substrat, ein erstes FinFET-Bauteil, das von dem Substrat getragen wird und das eine erste Finne mit einem ungestuften Finnenprofil aufweist, und ein zweites FinFET-Bauteil, das von dem Substrat getragen wird und das eine zweite Finne mit einem gestuften Finnenprofil aufweist.