| 摘要 |
<p>Eine Halbleitervorrichtung enthält ein aktives Gebiet (10), in welchem ein Strom fließt, wenn die Halbleitervorrichtung in einem Ein-Zustand ist, und einen Durchbruchspannungsstruktur-Teil (11), welcher das aktive Gebiet (10) umgibt. Im aktiven Gebiet (10) ist eine MOS-Gate-Struktur, welche zum Beispiel ein p-Wannengebiet (2), ein n+-Source-Gebiet (3), eine Gate-Elektrode (5) und eine Source-Elektrode (6) enthält, auf der vorderseitigen Oberfläche eines Halbleitersubstrats bereitgestellt. Eine Drain-Elektrode (7), welche mit einem n–-Driftgebiet (1) in Kontakt kommt, ist von der rückseitigen Oberfläche bis zur seitlichen Oberfläche des Halbleitersubstrats bereitgestellt. Die Drain-Elektrode (7) bildet mit dem n–-Driftgebiet (1), welches das Halbleitersubstrat ist, einen Schottky-Kontakt. Im Durchbruchspannungsstruktur-Teil (11) ist eine Schicht (reststrommindernde Schicht) (20), welche einen Reststrom aus dem Außenumfangsrand des Halbleitersubstrats mindert, mindestens am Außenumfangsrand des Halbleitersubstrats bereitgestellt.</p> |
