| 摘要 |
Halbleitervorrichtung mit: einem Halbleitersubstrat (101), das einen ersten Graben (T1) hat; einem Isolierfilm (14b), der eine Innenfläche des ersten Grabens (T1) abdeckt; einem Halbleiterelement (EL), das eine Elektrode hat; und einem Widerstandselement (4t), das mit der Elektrode elektrisch verbunden ist, um einen Widerstand für einen durch die Elektrode hindurch strömenden Strom zu bilden, und das in dem ersten Graben (T1) mit dem dazwischen liegenden Isolierfilm (14b) angeordnet ist, wobei das Halbleiterelement (EL) einen Gateisolierfilm (14a) aufweist, die Elektrode eine Gateelektrode (13) ist, das Halbleitersubstrat (101) einen zweiten Graben (T2) aufweist, der Gateisolierfilm (14a) eine Innenfläche des zweiten Grabens (T2) abdeckt, die Gateelektrode (13) in dem zweiten Graben (T2) mit dem dazwischen liegenden Gateisolierfilm (14a) angeordnet ist und die Gateelektrode (13) eine maximale Breite aufweist, die größer ist als die minimale Breite des Widerstandselements (4t). |
