发明名称 Leseverstärkerschaltung für resistive Speicher
摘要 Beispielhafte Ausführungsformen umfassen eine resistive Speicherleseverstärkerschaltung mit differenziellen Ausgangsanschlüssen, ersten und zweiten Eingangsanschlüssen, einem Vor-Ladeabschnitt, und anderen Komponenten, die so angeordnet sind, dass Strom während wenigstens einer„set”oder„Verstärkungs”Stufe der Leseverstärkerschaltung wiederverwendet werden kann, um dadurch den Gesamtstromverbrauch der Schaltung zu reduzieren und die Störanfälligkeit zu verbessern. Ein Spannungsniveau eines Hoch-Impedanzausgangsanschlusses kann als Antwort auf einen Durchschnittsdeltastrom zwischen einem Referenzleitungsstrom und einem Bitleitungsstrom schwanken. Während einer„go”oder„Latch”Stufe des Betriebs, wird ein logischer Wert„0”oder„1”basierend auf der positiven Rückmeldung einer Latch-Schaltung an den differenziellen Ausgangsanschlüssen verriegelt. Auch eine Stromspiegelschaltung wird offenbart, die in Verbindung mit der offenbarten Leseverstärkerschaltung verwendet werden kann. Gemäß einer weiteren Ausführungsform umfasst eine Leseverstärkerschaltung die Möglichkeit eines Lese/Überschreibbetriebes.
申请公布号 DE102013106684(A1) 申请公布日期 2014.01.02
申请号 DE201310106684 申请日期 2013.06.26
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 YOUN, YONGSIK;CHA, SOOHO;KIM, CHAN-KYUNG
分类号 G11C7/06 主分类号 G11C7/06
代理机构 代理人
主权项
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