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Speicherzelle (102; 104), die umfasst: ein Substrat (110); einen Körper (112), der sich vertikal vom Substrat (110) erstreckt, wobei der Körper eine Source (114) und einen Drain (116) umfasst; ein erstes Gate (118), das ein vertikales Element (118A) und ein horizontales Element (118B) umfasst, wobei das erste Gate (118) seitlich des Körpers (112) angeordnet ist; ein zweites Gate (120), das ein vertikales Element (120A) und ein horizontales Element (120B) umfasst, wobei das zweite Gate (120) seitlich des ersten Gates (118) angeordnet ist; ein erstes Dielektrikum (122; 210; 310; 512), das zwischen dem ersten Gate (118) und dem Körper (112) gebildet ist, wobei das erste Dielektrikum (122; 210; 310; 512) mit dem Substrat (110) und dem Körper (112) gekoppelt ist und diese abdeckt, und ein zweites Dielektrikum (124), das sich vertikal vom ersten Dielektrikum (122; 210; 310; 512) erstreckt und damit an dem horizontalen Element (118B) des ersten Gates (118) gekoppelt ist, wobei das horizontale Element (118B) des ersten Gates (118) das horizontale Element (120B) des zweiten Gates (120) überlappt. |
