半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置，包含：一基底；一第一区域，其设置在该基底上，并且包含一含有一相对介电常数最多为3.0之绝缘层的第一绝缘部分和一设置在该第一绝缘部分中的导电部分；一第二区域，其设置在基底之，并且以平行该基底主要表面的方向定位以邻接该第一区域，该第二区域包含一第二绝缘部分，该第二绝缘部分以相同方向定位以邻接该第一绝缘部分，且该第二绝缘部分不含有相对介电常数最多为3.0之绝缘层；及一垫层，其一设置在该第二区域上，并且电气连接到导电部分。