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发明名称
保护凸出电极之晶圆级封装制程
摘要
一种晶圆级封装制程,一光阻层系形成于所提供晶圆之正面上,并在该光阻层之开孔形成有复数个凸起电极,再研磨该晶圆之背面,研磨后方移除该光阻层,使得该些凸起电极显露出,利用该光阻层达到该些凸起电极之形成与研磨时对该些凸起电极之保护,较佳地,在该晶圆之正面与背面分别形成有一应力缓冲层及一防翘曲层。
申请公布号
TW200423264
申请公布日期
2004.11.01
申请号
TW092110057
申请日期
2003.04.25
申请人
南茂科技股份有限公司;百慕达南茂科技股份有限公司 CHIPMOS TECHNOLOGIES(BERMUDA)., LTD. 英国
发明人
郑世杰;刘安鸿;赵永清;王永和;李耀荣
分类号
H01L21/56
主分类号
H01L21/56
代理机构
代理人
张启威
主权项
地址
新竹市新竹科学工业园区研发一路一号
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