| 摘要 |
Ausführungsformen der vorliegenden Offenbarung beschreiben Anlagen, Verfahren und Systeme einer integrierten Schaltungsvorrichtung (IC-Vorrichtung). Die IC-Vorrichtung kann eine auf einem Substrat angeordnete Pufferschicht, wobei die Pufferschicht Gallium (Ga) und Stickstoff (N) aufweist, eine auf der Pufferschicht angeordnete Sperrschicht, wobei die Sperrschicht Aluminium (Al) und Stickstoff (N) aufweist, eine in der Sperrschicht angeordnete und epitaktisch mit der Sperrschicht gekoppelte wiederaufgewachsene Struktur, wobei die wiederaufgewachsene Struktur Stickstoff (N) und ferner Aluminium (Al) und/oder Gallium (Ga) aufweist und bei einer Temperatur von weniger als oder gleich 600°C epitaktisch aufgebracht ist, und ein in der Sperrschicht angeordnetes Gate-Terminal aufweisen, wobei die wiederaufgewachsene Struktur zwischen dem Gate-Terminal und der Pufferschicht angeordnet ist. Andere Ausführungsformen können beschrieben und/oder beansprucht sein. |
