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Es wird ein Verfahren zum Herstellen von elektronischen Nitrid-Bauelementen angegeben, mit dem Gate-Leckströme reduziert werden können. Ein Substratprodukt wird zum Zeitpunkt t0 in einem Züchtungsofen platziert, wobei die Substrattemperatur dann auf 950°C erhöht wird. Nachdem sich die Substrattemperatur ausreichend stabilisiert hat, werden zum Zeitpunkt t3 Trimethylgallium und Ammoniak zu dem Züchtungsofen zugeführt, um einen i-GaN-Film zu züchten. Zum Zeitpunkt t5 erreicht die Substrattemperatur 1080°C. Nachdem sich die Substrattemperatur ausreichend stabilisiert hat, werden zum Zeitpunkt t6 Trimethylgallium, Trimethylaluminium und Ammoniak zu dem Züchtungsofen zugeführt, um einen i-AlGaN-Film zu züchten. Die Zufuhr von Trimethylgallium und Trimethylaluminium wird zum Zeitpunkt t7 gestoppt, um die Filmdeposition zu beenden. Schnell danach wird die Zufuhr von Ammoniak und Wasserstoff zu dem Züchtungsofen gestoppt und wird mit der Zufuhr von Stickstoff begonnen, um die Atmosphäre von Ammoniak und Wasserstoff in einer Züchtungsofenkammer zu einer Stickstoffatmosphäre zu ändern. Nach der Bildung der Stickstoffatmosphäre wird zum Zeitpunkt t8 mit dem Senken der Substrattemperatur begonnen. |
