Halbleitervorrichtung mit einem Randgebiet und Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Eine Halbleitervorrichtung (100) umfasst eine dotierte Schicht (120), die einen ersten Dotierstoff eines ersten Leitfähigkeitstyps enthält. In der dotierten Schicht (120) ist eine gegendotierte Zone (121) in einem Randgebiet (190) gebildet, das ein Elementgebiet (150) der Halbleitervorrichtung (100) umgibt. Die gegendotierte Zone (121) enthält wenigstens den ersten Dotierstoff und einen zweiten Dotierstoff eines zweiten Leitfähigkeitstyps, der zu dem ersten Leitfähigkeitstyp entgegengesetzt ist. Eine Konzentration des zweiten Dotierstoffs beträgt wenigstens 20 % und höchstens 100 % der Konzentration des ersten Dotierstoffs. Die Dotierstoffe in der gegendotierten Zone (121) vermindern die Ladungsträgerbeweglichkeit und die Minoritätsladungsträger-Lebensdauer derart, dass die dynamische Robustheit der Halbleitervorrichtung (100) gesteigert ist.