| 摘要 |
Bereitgestellt werden eine MOS-Vorrichtung mit einem selektiv ausgebildeten Kanalbereich sowie Verfahren zu deren Herstellung. Ein derartiges Verfahren beinhaltet ein Ausbilden einer Maske zur Festlegung eines Gate-Bereiches mit Lage über einer Oberfläche eines Halbleitersubstrates. Source- und Drain-Bereiche werden in dem Halbleitersubstrat in Ausrichtung mit dem Gate-Bereich ausgebildet, und es wird ein eine verbesserte Dotierung aufweisender Teiloberflächenverunreinigungsbereich in dem Halbleitersubstrat unter Verwendung der Maske als Dotiermaske gebildet. Eine Gate-Elektrode mit Lage über dem Halbleitersubstrat wird sodann in Ausrichtung mit dem Gate-Bereich unter Verwendung der Maske als Gate-Ausrichtungsmaske gebildet. |
