| 摘要 |
Ein elektronisches Bauelement weist eine Halbleiterschicht, einen primären Übergang in der Halbleiterschicht, einen leicht dotierten Bereich, welcher den primären Übergang umgibt und eine Struktur für den Übergangsabschluss in dem leicht dotierten Bereich angrenzend an den primären Übergang auf. Die Struktur für den Übergangsabschluss weist eine obere Grenze, eine seitliche Grenze und eine Ecke zwischen der oberen Grenze und der seitlichen Grenze auf, und der leicht dotierte Bereich erstreckt sich in einer ersten Richtung weg von dem primären Übergang und normal zu einem Punkt an der oberen Grenze um einen ersten Abstand, welcher geringer als ein zweiter Abstand ist, um welchen sich der leicht dotierte Bereich in einer zweiten Richtung weg von dem primären Übergang und normal zu einem Punkt an der Ecke erstreckt. Zumindest ein potentialfreies Schutzringsegment kann in der Halbleiterschicht außerhalb der Ecke von der Struktur für den Übergangsabschluss vorgesehen sein. Zugehörige Verfahren sind ebenfalls offenbart. |
