发明名称 用以将至少一构件从起始支承件选择性地移转至最终支承件的方法
摘要 本发明系有关于一种用以将标签从起始支承件选择性地移转至最终支承件之方法,各标签包括构成一微电子及/或光电及/或声音及/或机械元件之至少一构件,构件制作在起始支承件的一表面层中,且此方法系包括以下步骤:a)将一移转支承件固定在起始支承件的表面层上;b)消除不对应于表面层之起始支承件的部份;c)依据表面层的厚度而切割藉以侧向界定标签,切割系留下可破裂的区;d)握持一或数个待移转的标签,并藉由相对应之可破裂的区中的能量摄入加以撕开;e)将步骤d)中撕开的标签或标签组移转及固定至最终支承件上。
申请公布号 TWI255486 申请公布日期 2006.05.21
申请号 TW091106745 申请日期 2002.04.03
申请人 原子能委原会 发明人 克里斯多夫.费格特;柏纳德.亚斯巴;文森特.布雷特
分类号 H01L21/00 主分类号 H01L21/00
代理机构 代理人 恽轶群 台北市松山区南京东路3段248号7楼;陈文郎 台北市松山区南京东路3段248号7楼
主权项 1.一种将标签(16,26,36)从一起始支承件(10,20,30)选择 性地移转至一最终支承件(19,29,39)之方法,其中各 标签系由构成一微电子及/或光电及/或声音及/或 机械元件的至少一构件(11,21,31)所形成,该等构件 系制作于该起始支承件的一表面层中,且该方法包 括以下阶段: a)将一移转支承件(14,24,34)固定在该起始支承件(10, 20,30)的表面层上; b)移除不与该表面层对应之该起始支承件的部份; c)在该移转支承件及该表面层所构成之地点,藉由 依据该表面层厚度进行切割而侧向界定该等标签, 该切割系至少于该表面层完成以便留下待破裂的 区; d)握持住一或数个待移转标签(16,26,36)及藉由在该 地点上对应的待破裂区中输入能量加以撕除,该能 量输入系导致这些区的破裂; e)将在阶段d)中撕除之该标签或标签组移转及固定 至该最终支承件(19,29,39)上。 2.如申请专利范围第1项之方法,其中系由一覆盖住 该等构件(11)的黏附层(13)构成该表面层,阶段a)系 包括将该移转支承件(14)固定在该黏附层(13)上。 3.如申请专利范围第2项之方法,其中该黏附层(13) 系为一双面黏剂膜或为一种选自包括下列各物的 群组之材料:胶、蜡、矽酮氧化物及矽酮。 4.如申请专利范围第3项之方法,其中该胶为一种选 自包括下列各物的群组之胶:聚醯亚胺、BCB及环氧 树脂或感光树脂。 5.如申请专利范围第2项之方法,其中覆盖住该等构 件(11)之黏附层(13)系为一经沉积及抛光的层。 6.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段a)中系 藉由分子性黏附来达成该固定。 7.如申请专利范围第6项之方法,其中藉由一热处理 来强化由分子性黏附所进行的固定。 8.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段b)中藉 由选自包括下列各物的群组之一或数种方法来进 行不与该表面层对应之该起始支承件(10,20,30)的部 份之移除:机械矫正、抛光、乾或湿化学侵袭、沿 着一弱化层破裂。 9.如申请专利范围第1项之方法,其中藉由乾或湿化 学雕刻、锯切、超音波、劈切或雷射束来达成该 切割。 10.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段d)中藉 由一种有关于选自包括下列各物的群组之技术来 进行该握持:机械装置、毛细作用、静电装置、气 动及/或化学装置。 11.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段d)中该 能量输入系为机械能及/或热能及/或化学能之一 输入。 12.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段d)中藉 由合并使用压力及吸取对于该或该等待移转标签( 16,26,36)之效果来达成该撕除。 13.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段e)中藉 由分子性黏附或胶接来获取该固定。 14.如申请专利范围第13项之方法,其中在阶段e)中 藉由胶、环氧树脂或一反应性或非反应性金属层 之胶接来获得该固定。 15.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段e)中至 少部份地移除不与该或该等移转标签(16,26)对应之 该移转支承件(14,24)的部份。 16.如申请专利范围第15项之方法,其中藉由选自包 括下列各物的群组之一或数种方法来进行该移转 支承件(16,26)的部份之至少部份移除:移除技术、 化学或选择性侵袭黏附层、施加机械力及沿着一 弱化层破裂。 17.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段c)中对 于该移转支承件(14)增添在阶段c)期间使其保持刚 性之装置(15)。 18.如申请专利范围第17项之方法,其中在阶段c)中 系至少部份地移除了该可增强移转支承件(14)的刚 性之装置(15)。 19.如申请专利范围第1项之方法,其中该表面层系 包括至少一阻止层(12,22,32),此至少一阻止层(12,22, 32)系邻近于不与该表面层对应之该起始支承件(10, 20,30)的部份。 20.如申请专利范围第19项之方法,其中亦移除该阻 止层。 21.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段a)中测 试该构成一微电子及/或光电及/或声音及/或机械 元件之构件(11,21,31)以决定其工作条件。 22.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段a)中, 藉由将一层材料沉积在该表面层上来获得该移转 支承件的固定,其中该材料层系构成该移转支承件 。 23.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段c)中, 从该表面层及/或从该移转支承件来进行该切割。 24.如申请专利范围第1项之方法,其中系在固定于 该或该等标签(16,26,36)的最终支承件上之前达成一 表面制备,藉以改良固定。 25.如申请专利范围第1项之方法,其中在阶段e)中, 计画一阶段以显露出该构成该主动或被动微电子 及/或光电元件及/或一感测器之构件(11,21)。 26.如申请专利范围第1项之方法,其中因为该起始 支承件(20)属于该SOI型,亦即由连续支承住一矽氧 化物层(22)及其中制作有该构件(22)之该矽层之一 矽基材所构成,该矽氧化物层系作为一阻止层。 27.如申请专利范围第1项之方法,其中在固定于该 最终支承件上的期间,利用预先设立在该标签及最 终支承件上的标记或利用一由透明材料制成的移 转支承件,将该标签对准于该最终支承件上。 图式简单说明: 第1A至1J图为显示用于实行根据本发明选择性移转 方法的第一范例之横剖视图; 第2A至2I图为显示用于实行根据本发明选择性移转 方法的第二范例之横剖视图; 第3A至3E图为显示用于实行根据本发明选择性移转 方法的第三范例之横剖视图。
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