| 发明名称 | 一种阵列基板及其制备方法、显示装置 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种阵列基板，包括基板之上的栅电极层和像素电极层，所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。本发明实施例有益效果如下：只需利用同一掩膜版即可完成栅电极层和像素电极层的构图，减少使用不同掩膜版的数量和次数，降低了生产成本。本发明还提供阵列基板的制备方法及显示装置。 | ||
| 申请公布号 | CN103489882A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310487699.4 | 申请日期 | 2013.10.17 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司 | 发明人 | 孔祥永;成军 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人 | 黄志华 |
| 主权项 | 一种阵列基板，包括基板，及形成于所述基板之上的栅电极层和像素电极层，其特征在于，包括：所述栅电极层和所述像素电极层层叠设置且直接接触，构成像素电极和薄膜晶体管的栅电极；其中，所述像素电极层包括彼此区隔开的第一部分和第二部分，所述栅电极层包括第一部分，所述栅电极层的第一部分与所述像素电极层的第一部分位置正对；所述栅电极包括所述栅电极层的第一部分和所述像素电极层的第一部分，所述像素电极包括所述像素电极的第二部分。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||