| 发明名称 | 非氧化物单晶基板的研磨方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种用于以高研磨速度对碳化硅单晶基板等非氧化物单晶基板进行研磨、得到平滑且表面性状优异的高品质的表面的研磨方法。该研磨方法是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液、使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触、通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液含有氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。 | ||
| 申请公布号 | CN103493183A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201280020186.6 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 旭硝子株式会社 | 发明人 | 吉田伊织;竹宫聪;朝长浩之 |
| 分类号 | H01L21/304(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/304(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 金明花 |
| 主权项 | 非氧化物单晶基板的研磨方法，它是向不包含磨粒的研磨垫供给研磨液，使非氧化物单晶基板的被研磨面和所述研磨垫接触，通过两者间的相对运动进行研磨的方法，其特征在于，所述研磨液包含氧化还原电势为0.5V以上的含过渡金属的氧化剂、和水，且不含磨粒。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||