具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法

摘要

具有空穴复合层的IGBT终端结构及其制备方法，属于功率半导体器件技术领域。所述IGBT终端结构是在常规IGBT终端结构的P型等位环中引入空穴复合层（由注入到P型等位环内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处理所形成）。空穴复合层的引入可有效降低等位环处的空穴电流密度，减弱器件关断时的电流集中现象，抑制动态雪崩击穿和热击穿，提高IGBT器件的可靠性。由于空穴复合层的引入仅在器件终端的等位环内部，器件正向导通时漂移区的电导调制效应不受影响，因此正向导通压降不会改变。所述制备方法只要增加一张掩膜版进行碳、氧的离子注入，不会增加过多的附加成本。

主权项

具有空穴复合层的IGBT终端结构，其结构包括与IGBT有源区相连接的IGBT终端结构，所述IGBT终端结构包括N‑漂移区（7）、N型缓冲层（8）、P+集电区（9）、金属集电极（10）、P型等位环（12）、P型场限环（14）和N+截止环（20）；其中N型缓冲层（8）位于N‑漂移区（7）和P+集电区（9）之间，P+集电区（9）位于N型缓冲层（8）和金属集电极（10）之间；所述P型等位环（12）位于靠近IGBT有源区的N‑漂移区（7）中，P型等位环（12）中具有等位环的P+接触区（11），所述等位环的P+接触区（11）通过金属连线实现与IGBT有源区中金属发射极的等电位连接；所述N+截止环（20）位于远离IGBT有源区的N‑漂移区（7）中；P型等位环（12）和N+截止环（20）之间的N‑漂移区（7）中具有若干P型场限环（14）；P型等位环（12）、P型场限环（14）、N+截止环（20）和N‑漂移区（7）的表面具有场氧化层（16），场氧化层（16）表面与P型等位环（12）、P型场限环（14）和N+截止环（20）对应的位置处分别具有金属场板（13、15、18和19）；在所述P型等位环（12）内还具有空穴复合层（21），所述空穴复合层（21）由注入到P型等位环（12）内的碳离子和氧离子经400～550℃温度条件下的退火处理所形成。