一种评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害之方法

摘要

本发明系有关于一种评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害之方法，系以量测表面电压的工具，量测经洗净后的矽晶圆之绝缘层的表面电压，观察矽晶圆在洗净制程后之绝缘层表面电荷分布情形，而评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害。其步骤包括：形成绝缘层于矽晶圆表面；矽晶圆进行洗净程序；量测矽晶圆绝缘层之表面电压；定义矽晶圆静电损害的区域。依据本发明方法，藉由量测矽晶圆绝缘层之表面电压变化而评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害，与量测于相同洗净程序后金属-氧化物元件之闸极耐电压变化结果一致。

主权项

1.一种评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害之方法,其步骤包括:于矽晶圆表面形成一氧化层为绝缘层;矽晶圆进行洗净制程;以振动式凯文探针量测矽晶圆绝缘层之表面电压;定义矽晶圆的表面电压变异最高之区域为该矽晶圆静电损害的区域。2.如申请专利范围第1项所述之方法,其中该氧化层为氧化矽层。3.如申请专利范围第1项所述之方法,其中矽晶圆的表面电压变异最高之区域系对应于矽晶圆上之金属-氧化物元件的位元故障区域。图式简单说明:第一图系为习用技术评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害之方法流程图;第二图系为本发明评估洗净制程对矽晶圆造成静电损害之方法流程图;第三图系为本发明实施例做为量测矽晶圆的表面电压之装置示意图;第四图系为本发明实施例之洗净制程后矽晶圆的表面电压分布示意图;第五A、B图系为本发明实施例的洗净制程后矽晶圆之金属-氧化物元件之位元故障分布示意图;其中第五A图系以不同水压进行洗净的结果;第五B图系调整喷洗头位置及角度进行洗净的结果。