| 发明名称 | 一种器件隔离的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种器件隔离的方法，包括以下步骤，步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连；步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理；步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽；步骤四，在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。在硅衬底背面蚀刻沟槽，可以减少在晶圆正面刻蚀深沟槽造成的等离子体损伤，同时又能保证器件的隔离的效果。 | ||
| 申请公布号 | CN103489820A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310456375.4 | 申请日期 | 2013.09.29 |
| 申请人 | 武汉新芯集成电路制造有限公司 | 发明人 | 洪齐元;黄海 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 | 代理人 | 杨立 |
| 主权项 | 一种器件隔离的方法，其特征在于：包括以下步骤，步骤一，在晶圆正面的两个参杂区域之间进行浅沟槽隔离，在晶圆正面进行金属互连；步骤二，对已完成金属互连的晶圆背面进行减薄处理；步骤三，在进行减薄处理后的晶圆背面刻蚀出沟槽；步骤四，在晶圆背面刻蚀出的沟槽中填充隔离物质。 | ||
| 地址 | 430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号 | ||