| 发明名称 | 一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法，包括：第一步骤，将芯片的不同离子注入的电路图导入到电子束缺陷检测设备；第二步骤，根据不同离子注入电路图区分不同的器件区域；第三步骤，针对由第二步骤定义的器件区域设定电子束缺陷检测设备的不同的电子束缺陷检测条件；第四步骤，电子束缺陷检测设备利用不同的电子束缺陷检测条件，根据相应的不同的检测区域完成整个晶圆的缺陷检测。 | ||
| 申请公布号 | CN103489808A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310432063.X | 申请日期 | 2013.09.22 |
| 申请人 | 上海华力微电子有限公司 | 发明人 | 倪棋梁;陈宏璘;龙吟 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 陆花 |
| 主权项 | 一种可按照离子注入区域分类的电子束缺陷检测方法，其特征在于包括：第一步骤：将芯片的不同离子注入的电路图导入到电子束缺陷检测设备；第二步骤：根据不同离子注入电路图区分不同的器件区域；第三步骤：针对由第二步骤定义的器件区域设定电子束缺陷检测设备的不同的电子束缺陷检测条件；第四步骤：电子束缺陷检测设备利用不同的电子束缺陷检测条件，根据相应的不同的检测区域完成整个晶圆的缺陷检测。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区高科技园区高斯路568号 | ||