| 发明名称 | 一种半导体发光器件的制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体发光器件的制备方法，通过改变刻蚀的工艺参数使得刻蚀得到的外延层侧壁倾角为60°～90°，接近于垂直，从而避免了生产中的芯片开裂等现象，提高生产率。 | ||
| 申请公布号 | CN103489979A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310414200.7 | 申请日期 | 2013.09.12 |
| 申请人 | 易美芯光（北京）科技有限公司 | 发明人 | 朱浩;范振灿;刘国旭 |
| 分类号 | H01L33/20(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/20(2010.01)I |
| 代理机构 | 南昌新天下专利商标代理有限公司 36115 | 代理人 | 施秀瑾 |
| 主权项 | 一种半导体发光器件的制备方法，包括：在蓝宝石衬底上依次生长缓冲层、N型GaN层、活性层、P型GaN层，形成外延层；刻蚀所述外延层至暴露蓝宝石衬底以产生多个分立的管芯；将刻蚀后的外延层与支撑基板结合；采用激光剥离方法去除蓝宝石衬底；其特征在于刻蚀后的外延层侧壁倾角为60°～90°。 | ||
| 地址 | 100176 北京市亦庄经济技术开发区科创十四街99号汇龙森科技园2号楼4层 | ||