发明名称 |
功率MOSFET电流传感结构和方法 |
摘要 |
一种具有主-FET(MFET)和内嵌的电流传感-FET(SFET)的功率MOSFET。通过在MFET和SFET之间的缓冲空间中的隔离栅条(IGRs)将MFET栅条耦合至SFET栅条。在一个实施例中,n个IGRs(i=1至n)将MFET(304)的第一部分的n+1个栅耦合至SFET的n个栅。该IGRs具有之字形部分,其中每一个SFET栅条通过该IGRs耦合至两个MFET栅条。对除第一个和最后一个IGRs的外侧之外的所有IGRs,之字形部分提供阻挡以阻止在SFET的源和MFET的源之间的寄生泄漏路径。通过增加残余泄漏路径周围的区域中的体掺杂可实现这样的阻挡。该IGRs实质上没有源区。 |
申请公布号 |
CN103489862A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201210305062.4 |
申请日期 |
2012.06.12 |
申请人 |
飞思卡尔半导体公司 |
发明人 |
王培林;陈菁菁;E·D·德弗雷萨特;具本星;李文漪;覃甘明 |
分类号 |
H01L27/06(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/06(2006.01)I |
代理机构 |
中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 |
代理人 |
金晓 |
主权项 |
一种功率金属‑氧化物‑半导体‑场‑效应‑晶体管MOSFET,包括:具有上表面和下表面的衬底;形成在衬底中的主场效应晶体管MFET,具有多个MFET源区和延伸至上表面的MFET栅条,耦合至该多个MFET源区的上面的源金属,和邻近下表面的漏接触以及漏区;形成在衬底中的电流传感场效应晶体管SFET,具有多个SFET源区和延伸至上表面的SFET栅条,耦合至该多个SFET源区的上面的源金属,和邻近下表面的漏接触以及漏区,其中该SFET横向嵌在该MFET内,但是通过缓冲区与MFET隔离;和隔离栅条,在其上基本上没有源区,所述隔离栅条位于缓冲区中且将MFET栅条电性耦合至SFET栅条,同时电性隔离MFET源区和SFET源区。 |
地址 |
美国得克萨斯 |