| 发明名称 | 氮化镓基半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及其制造方法。所述氮化镓基半导体器件包括同时掺杂有相对较高浓度的硼（B）和锗（Ge）的硅基衬底、所述硅基衬底上的缓冲层、以及所述缓冲层上的氮化物叠层。硼（B）和锗（Ge）的掺杂浓度可以大于1×1019/cm3。 | ||
| 申请公布号 | CN103489896A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310231295.9 | 申请日期 | 2013.06.09 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 卓泳助;金在均;金峻渊;李在垣;崔孝枝 |
| 分类号 | H01L29/06(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L33/12(2010.01)I | 主分类号 | H01L29/06(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人 | 陈源;张帆 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：硅基衬底，其掺杂有硼（B）和锗（Ge）；所述硅基衬底上的缓冲层；以及所述缓冲层上的氮化物叠层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||