发明名称 |
半导体发光元件和发光装置 |
摘要 |
本发明涉及半导体发光元件和发光装置,所述半导体发光元件包括发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层。第一电极结构包括与所述第一导电类型半导体层连接的导电通路。第二电极结构与第二导电类型半导体层连接。具有开口区域的绝缘部件在覆盖第一电极结构和第二电极结构的同时以该开口区域暴露出第一电极结构和第二电极结构的一部分。第一焊盘电极和第二焊盘电极分别形成在通过开口区域暴露出来的第一电极结构和第二电极结构的部分上并且分别与第一电极结构和第二电极结构连接。 |
申请公布号 |
CN103490000A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310233356.5 |
申请日期 |
2013.06.13 |
申请人 |
三星电子株式会社 |
发明人 |
梁钟隣;金泰亨;宋光珉;李承桓;林完泰;韩世俊;洪玄权;皇甫秀珉 |
分类号 |
H01L33/62(2010.01)I;H01L33/64(2010.01)I;H01L33/58(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/62(2010.01)I |
代理机构 |
北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 |
代理人 |
陈源;张帆 |
主权项 |
一种半导体发光元件,包括:发光结构,所述发光结构包括第一导电类型半导体层、有源层和第二导电类型半导体层;第一电极结构,所述第一电极结构包括穿过所述第二导电类型半导体层和所述有源层的导电通路,所述导电通路与所述第一导电类型半导体层连接;第二电极结构,所述第二电极结构与所述第二导电类型半导体层连接;绝缘部件,所述绝缘部件覆盖所述第一电极结构和所述第二电极结构并且具有暴露出所述第一电极结构和所述第二电极结构的一部分的开口区域;以及第一焊盘电极和第二焊盘电极,所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分别形成在通过所述开口区域暴露出来的所述第一电极结构和所述第二电极结构的部分上,所述第一焊盘电极和所述第二焊盘电极分别与所述第一电极结构和所述第二电极结构连接。 |
地址 |
韩国京畿道 |