| 发明名称 | 一种快速软恢复功率开关二极管及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种快速软恢复功率开关二极管，从下到上依次设置有阴极N+区、耐压层和阳极P+区，耐压层由复合结构成，复合结有L型N-柱和L型P-柱构成。其中，阳极P+区为重掺杂Si材料；耐压层复合结结构区采用新型复合结Si材料结构，掺杂浓度较常规PiN二极管高一个数量级；阴极区采用N+掺杂结构。本发明还公开了一种快速软恢复功率开关二极管的制备方法，与常规PiN二极管的不同之处在于，复合结结构中引入了横向和纵向交替内建电场。二极管的反向恢复峰值电流较常规的PiN二极管和超结二极管大大减小，反向恢复时间很大程度上缩短了，该新型复合结结构的快速软恢复功率开关二极管便能够更好的适用于高频电路应用中。 | ||
| 申请公布号 | CN103489927A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310410822.2 | 申请日期 | 2013.09.10 |
| 申请人 | 西安理工大学 | 发明人 | 高勇;谢加强;马丽;王秀慜 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 西安弘理专利事务所 61214 | 代理人 | 李娜 |
| 主权项 | 一种快速软恢复功率开关二极管，其特征在于，从下到上依次设置有阴极N+区（3）、耐压层和阳极P+区（1），所述的耐压层由复合结构成，所述的复合结是由L型N‑柱（2）和L型P‑柱（4）组合形成的长方体结构。 | ||
| 地址 | 710048 陕西省西安市金花南路5号 | ||