高击穿电压半导体器件

摘要

半导体区域在平行pn层中交替排列，在所述平行pn层中，n型区和p型区沿与半导体基板的主面平行的方向交替排列。边缘终止区中的第二平行pn层（微细SJ单元（12E））的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的间距是活性区域中的第一平行pn层（主SJ单元（12））的n漂移区（12a）与p分隔区（12b）之间的间距的三分之二。在俯视下具有矩形形状的半导体基板的四个角上的主SJ单元（12）与微细SJ单元（12E）之间的边界上，主SJ单元（12）的两个间距的端部与微细SJ单元（12E）的三个间距的端部相对。由此，能减小工艺偏差的影响，并能减少微细SJ单元（12E）的n漂移区（12c）与p分隔区（12d）之间的相互扩散。

主权项

一种高击穿电压半导体器件，包括：平行pn层，该平行pn层用作为漂移层，包括第一导电型半导体区域和第二导电型半导体区域，所述第一导电型半导体区域和第二导电型半导体区域沿垂直于半导体基板的一个主面的方向具有纵向形状，并沿与所述半导体基板的主面平行的方向彼此交替相邻，所述半导体基板为第一导电型并具有较高的杂质浓度，其特征在于，在导通状态下，电流流过所述平行pn层，在截止状态下，所述平行pn层被耗尽以维持较高的电压，所述平行pn层包括第一平行pn层和第二平行pn层，所述第一平行pn层形成在用作为主电流路径的活性区域中，所述第二平行pn层形成在包围所述活性区域的边缘终止区中，所述平行pn层中的相邻数是偶数，在所述第二平行pn层中彼此相邻的所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间的间距是在所述第一平行pn层中彼此相邻的所述第一导电型半导体区域与所述第二导电型半导体区域之间的间距的三分之二，在俯视下具有矩形形状的所述半导体基板的四个角上的所述第一平行pn层和所述第二平行pn层之间的边界、与所述第一平行pn层的两个相邻端部及所述第二平行pn层的三个相邻端部相对。