发明名称 一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法
摘要 本发明属于半导体器件技术领域,具体涉及一种基于石墨烯纳米带的自旋阀及其制备方法。本发明采用石墨烯作为沟道材料,采用氢等离子体刻蚀,控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带,并氢化边缘碳原子;采用氧等离子体刻蚀,控制石墨烯宽度方向减小形成石墨烯纳米带,并氧化边缘碳原子,从而得到石墨烯纳米带的功能器件。理论计算表明制备的器件具有自旋阀的效果,可以应用于自旋存储器中。
申请公布号 CN103490007A 申请公布日期 2014.01.01
申请号 CN201310449102.7 申请日期 2013.09.28
申请人 复旦大学 发明人 孙清清;王鲁浩;王鹏飞;张卫;周鹏
分类号 H01L43/12(2006.01)I;G11C11/16(2006.01)I;C01B31/04(2006.01)I;B82Y30/00(2011.01)I 主分类号 H01L43/12(2006.01)I
代理机构 上海正旦专利代理有限公司 31200 代理人 陆飞;盛志范
主权项 一种基于石墨烯纳米带的自旋阀,其特征在于采用功能化边缘碳原子的石墨烯纳米带作为自旋输运沟道。
地址 200433 上海市杨浦区邯郸路220号