| 发明名称 | 具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种具有改良的栅极高度均匀性的半导体装置及其制造方法，其中，提供数种半导体装置以及用于制造半导体装置的方法。在一具体实施例中，一种用于制造半导体装置的方法包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构。形成间隔体于该临时栅极结构四周。移除该帽盖与该间隔体的一部分。沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板。该方法移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极以形成栅极沟槽。然后，在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。 | ||
| 申请公布号 | CN103489784A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310225298.1 | 申请日期 | 2013.06.07 |
| 申请人 | 格罗方德半导体公司 | 发明人 | 谢瑞龙;蔡秀雨;A·C·魏;R·米勒 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人 | 程伟;王锦阳 |
| 主权项 | 一种制造半导体装置的方法，包括：在半导体表面上形成包含多晶硅栅极及帽盖的临时栅极结构；形成间隔体于该临时栅极结构四周；移除该帽盖以及该间隔体的一部分；沉积覆于该多晶硅栅极上的均匀衬板；移除覆于该多晶硅栅极上的该均匀衬板的一部分以及该多晶硅栅极，以形成栅极沟槽；以及在该栅极沟槽中形成取代金属栅极。 | ||
| 地址 | 英属开曼群岛大开曼岛 | ||