半导体装置的制造方法及激光退火装置

摘要

本发明提供一种半导体装置的制造方法及激光退火装置，其能够实现高品质的退火。该半导体装置的制造方法将照射条件不同的两种激光脉冲照射到具有高浓度层（57a）和低浓度层（56a）的半导体基板（50）的表面，以使高浓度层和低浓度层均被活性化，所述高浓度层在所述基板的较浅的区域以高浓度注入有杂质且呈非晶化状态，所述低浓度层在比高浓度层更深的区域以低浓度注入有杂质。通过第1激光脉冲（LP1），不熔融高浓度层就使低浓度层活性化，并且使具有比第1激光脉冲的峰值功率更高的峰值功率和较短的脉冲宽度的第2激光脉冲（LP2）入射，而使高浓度层熔融而被活性化。从而实现高浓度层的活性化和低浓度层的活性化，表面不会变粗糙。

主权项

一种半导体装置的制造方法，其特征在于，该半导体装置的制造方法为将照射条件不同的两种激光脉冲照射到具有高浓度层和低浓度层的半导体基板表面，以使所述高浓度层和所述低浓度层均被活性化的工序，其中所述高浓度层在半导体基板的较浅的区域以相对较高浓度注入有杂质而呈非晶化状态，所述低浓度层在比所述高浓度层更深的区域以相对较低浓度注入有杂质，所述半导体装置的制造方法具有：第1工序，为了不使所述非晶化状态的高浓度层熔融就使低浓度层活性化，照射相对低峰值且脉冲宽度长的第1激光脉冲；第2工序，为了使所述非晶化状态的高浓度层熔融而被活性化，照射相对高峰值且脉冲宽度短的第2激光脉冲。