真空处理装置

摘要

本发明提供一种实现制成的膜的高品质化并且能够实现大面积化及成膜速度的高速化的真空处理装置。设置有：放电室(2)，由脊形波导管构成，该脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极；气体供给部(10)，与放电室(2)相邻配置，朝向脊形电极供给用于形成等离子体的母气体；基板(S)，配置于在基板(S)与放电室(2)之间夹着气体供给部(10)的位置，实施基于等离子体的处理；减压容器(7)，内部至少收容有放电室(2)、气体供给部(10)及基板(S)；及排气部(9)，连通于与减压容器(7)中的气体供给部(10)之间夹着放电室(2)的位置，使减压容器(7)内部的压力降低。

主权项

一种真空处理装置，设置有：放电室，由脊形波导管构成，所述脊形波导管具有彼此相对配置且其间生成等离子体的脊形电极；气体供给部，朝向所述脊形电极供给用于形成所述等离子体的母气体；基板，位于所述脊形波导管的外部，被实施基于所述等离子体的处理；减压容器，内部至少收容有所述放电室、所述气体供给部及所述基板；排气部，与该排气部与该减压容器中的所述基板一同将所述放电室夹在中间的位置连通，使所述减压容器内部的压力降低；及电源，为了使所述脊形电极生成等离子体而向所述脊形波导管供给30MHz到400MHz的高频电力，在所述放电室，通过所述气体供给部及所述排气部，形成朝向远离所述基板的方向的气流。