| 发明名称 | 发光器件、发光器件封装和照明系统 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种发光器件、发光器件封装和照明系统。所述发光光器件包括：衬底；发光结构层，其包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及至少一个第一电极，其通过穿过所述衬底而至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面。 | ||
| 申请公布号 | CN102222746B | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201110051740.4 | 申请日期 | 2011.03.02 |
| 申请人 | LG伊诺特有限公司 | 发明人 | 金省均;林祐湜;范熙荣;罗珉圭 |
| 分类号 | H01L33/32(2010.01)I;H01L33/04(2010.01)I;H01L33/36(2010.01)I;H01L25/075(2006.01)I;H01L33/48(2010.01)I;H01L33/62(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/32(2010.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 夏凯;谢丽娜 |
| 主权项 | 一种发光器件，包括：衬底；发光结构层，所述发光结构层包括第一导电类型半导体层、所述第一导电类型半导体层上的有源层和所述有源层上的第二导电类型半导体层，其中，所述第一导电类型半导体层被形成在所述衬底上并具有第一上表面和第二上表面，其中，所述第二上表面比所述第一上表面更靠近所述衬底；所述第二导电类型半导体层上的第二电极；以及多个第一电极，所述多个第一电极分别通过穿过所述衬底至少从所述第一导电类型半导体层的所述第二上表面延伸至所述衬底的下表面，第一导电层，所述第一导电层在所述第一导电类型半导体层的第二上表面上，并将所述多个第一电极的上部彼此相连，其中所述多个第一电极的上部彼此被间隔开，其中所述第一导电类型半导体层包括在所述第一导电类型半导体层的第一上表面与第二上表面之间的倾斜侧表面，其中所述第一导电层被形成在所述第一导电类型半导体层的倾斜侧表面上。 | ||
| 地址 | 韩国首尔 | ||