| 发明名称 | 一种用于形成硬掩膜层的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成硅层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述硅层构成的间隙壁；执行横向外延生长，以在所述间隙壁的表面上形成锗硅外延层；以及去除所述牺牲层，留下所述间隙壁和所述锗硅外延层，作为所述硬掩膜层。该方法克服了采用PR掩膜或者顶部呈圆弧状的硬掩膜所存在的问题从而能够获得良好的LWR和CD均一性，并且该方法可与传统工艺兼容从而能够降低成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103489758A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201210196978.0 | 申请日期 | 2012.06.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王新鹏;洪中山 |
| 分类号 | H01L21/033(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/033(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人 | 董巍;高伟 |
| 主权项 | 一种用于形成硬掩膜层的方法，包括：提供衬底，在所述衬底上预先形成有具有图案的牺牲层；在所述衬底的表面以及所述牺牲层的表面和侧壁上形成硅层；执行回蚀刻，以在所述牺牲层的侧壁上形成由所述硅层构成的间隙壁；执行横向外延生长，以在所述间隙壁的表面上形成锗硅外延层；以及去除所述牺牲层，留下所述间隙壁和所述锗硅外延层，作为所述硬掩膜层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||