一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管

摘要

本发明公开了一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、低温成核层、非掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层、p-AlGaN电子阻挡层、p型半导体层、p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层、n型超晶格结构层和金属电极，所述p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层和n型超晶格结构层共同构成p-i-n隧道结结构。本发明利用p-i-n隧道结结构作为LED芯片顶部的欧姆接触层，既可以提高LED器件电流扩展能力，从而降低整个芯片的开启电压，又能有效地提高芯片的光输出功率。

主权项

一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底（101）、低温成核层（102）、非掺杂半导体层（103）、n型半导体层（104）、多量子阱有源层（105）、p‑AlGaN电子阻挡层（106）、p型半导体层（107）、p+‑GaN层（108）、非掺杂InxAlyGa1‑x‑yN层（109）、n型超晶格结构层（110）和金属电极（111），所述p+‑GaN层（108）、非掺杂InxAlyGa1‑x‑yN层（109）和n型超晶格结构层（110）共同构成p‑i‑n隧道结结构。