粘合片及半导体晶片的背面磨削方法

摘要

粘合片的粘合剂贴合到半导体晶片上之后，随时间经过的粘合剂的濡湿会扩展，导致其与半导体晶片的密着性变高。因此，从经磨削的半导体晶片剥离粘合片时，导致半导体晶片破损。此种现象在半导体晶片薄时具有容易发生的倾向。本发明提供一种粘合片，其具备基材以及设置在基材上的粘合剂层。基材由乙烯-醋酸乙烯共聚物形成，其中醋酸乙烯成分的含量为10质量％以下。粘合剂层含100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物、1～10质量份的交联剂、0.05～5质量份的硅氧烷化合物，(甲基)丙烯酸酯共聚物由(甲基)丙烯酸酯单体与含有官能基的单体聚合而成的共聚物所形成。

主权项

1.一种半导体晶片背面磨削用粘合片，其具备基材以及设置在上述基材上的粘合剂层，上述基材由乙烯-醋酸乙烯共聚物所形成，其中醋酸乙烯成分的含量为10质量%以下，上述粘合剂层含100质量份的(甲基)丙烯酸酯共聚物、1～10质量份的交联剂、0.05～5质量份的硅氧烷化合物，其中，上述(甲基)丙烯酸酯共聚物是(甲基)丙烯酸酯单体与含有官能基的单体聚合而成的共聚物，上述硅氧烷化合物具有化学式(I)所示的结构：[化1]式中，R，R'是碳数1～6的烷基，X具有环氧基、羧基、羟基、甲醇基、氨基、(甲基)丙烯酸基、乙烯基中的任意一种，Y是聚醚、烷基、芳烷基中的任意一种单元，附加字k、l、m、n的合计是1～80的整数，硅氧烷化合物中附有附加字k、l、m、n的各单体单元的排列顺序并非局限于化学式(I)所示的顺序。