发明名称 |
一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构及制备方法 |
摘要 |
一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构,包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥,纳米柱或纳米锥的长度范围为200-1500nm,直径为20-200nm;其制备方法是,利用湿法刻蚀制备金字塔形貌,采用溶液浸沾法制备种子层,用水热法进行氧化锌纳米柱或纳米锥的生长制得。本发明的优点是:该陷光结构用于Si衬底太阳电池上,在400-1100nm范围内,长有氧化锌纳米柱的新型陷光结构的平均积分反射为5.1%,长有氧化锌纳米锥的新型陷光结构的平均积分反射率仅为2.5%,与传统的金字塔形貌陷光结构的平均积分反射10.9%相比,积分反射明显降低。 |
申请公布号 |
CN103489942A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310477860.X |
申请日期 |
2013.10.14 |
申请人 |
南开大学 |
发明人 |
张晓丹;许盛之;魏长春;黄茜;赵颖 |
分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I;H01L31/0747(2012.01)I;H01L31/18(2006.01)I |
主分类号 |
H01L31/0352(2006.01)I |
代理机构 |
天津佳盟知识产权代理有限公司 12002 |
代理人 |
侯力 |
主权项 |
一种基于纳米氧化锌硅异质结电池的陷光结构,其特征在于:包括湿法刻蚀制备金字塔形貌的硅衬底、ZnO种子层和在种子层基础上生长的氧化锌纳米柱或纳米锥,ZnO种子层的厚度为10‑20nm,纳米柱或纳米锥的长度范围为200‑1500nm,直径为20‑200nm。 |
地址 |
300071 天津市南开区卫津路94号 |