| 发明名称 | 抗总剂量效应存储单元电路 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗总剂量效应存储单元电路，全部由PMOS管构成，包括：第一、第二PMOS管，第三、第四PMOS管和第五、第六PMOS管；第一、第二PMOS管为上拉管，第三、第四PMOS管为读出访问管，第五、第六PMOS管为写入访问管。本发明的抗总剂量效应存储单元电路可自动实现抗总剂量效应加固，具有较小的存储单元面积，可用于抗辐射航空航天及嵌入式存储器等领域。 | ||
| 申请公布号 | CN103489477A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310398912.4 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 华中科技大学 | 发明人 | 桑红石;王文;张天序;梁巢兵;张静;谢扬;袁雅婧 |
| 分类号 | G11C11/413(2006.01)I | 主分类号 | G11C11/413(2006.01)I |
| 代理机构 | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人 | 朱仁玲 |
| 主权项 | 一种抗总剂量效应存储单元电路，其特征在于，全部由PMOS管构成。 | ||
| 地址 | 430074 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号 | ||