一种集成电路的制作方法

摘要

本发明提供一种集成电路的制作方法，涉及集成电路制造领域，降低工艺难度，提高集成电路工艺开发和集成电路设计的灵活性。一种集成电路的制作方法，包括：在衬底上形成N阱和P阱；在所述N阱和所述P阱的场区上依次形成场氧化层、第一多晶硅层图形和绝缘介质层图形，所述第一多晶硅层图形包括：位于所述场氧化层上的双多晶电容的下极板和第一多晶硅层电阻；在所述N阱和所述P阱的有源区上形成栅氧化层；在栅氧化层、场氧化层和绝缘介质层图形上，形成第二多晶硅层图形，形成第二多晶硅层图形包括：位于所述栅氧化层上的多晶硅栅，位于所述场氧化层上的第二多晶硅层低值电阻，位于所述绝缘介质层上的双多晶电容的上极板;在所述有源区形成源漏区。

主权项

一种集成电路的制作方法，其特征在于，包括：在衬底上形成N阱和P阱；在所述N阱和所述P阱的场区上依次形成场氧化层、第一多晶硅层图形和绝缘介质层图形，所述第一多晶硅层图形包括：位于所述场氧化层上的双多晶电容的下极板和第一多晶硅层电阻，所述第一多晶硅层电阻包括第一多晶硅层低值电阻和第一多晶硅层高值电阻；在所述N阱和所述P阱的有源区上形成栅氧化层；在所述栅氧化层、所述场氧化层和所述绝缘介质层图形上，形成第二多晶硅层图形，所述第二多晶硅层图形包括：位于所述栅氧化层上的多晶硅栅，位于所述场氧化层上的第二多晶硅层低值电阻，位于所述绝缘介质层上的双多晶电容的上极板；在所述有源区形成源漏区。