| 发明名称 | 太阳能电池用晶片及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供在以硅晶片为代表的半导体晶片表面具有多孔质层，可进一步降低该表面的光反射损耗的太阳能电池用晶片。本发明的太阳能电池用晶片(100)的特征在于，在半导体晶片(10)的至少一面(10A)上具有孔径为10nm以上且45nm以下，层厚为超过50nm且450nm以下的多孔质层(11)。 | ||
| 申请公布号 | CN103493214A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201280006626.2 | 申请日期 | 2012.01.18 |
| 申请人 | 胜高股份有限公司 | 发明人 | 奧内茂 |
| 分类号 | H01L31/0216(2006.01)I;H01L31/0236(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 孔青;孟慧岚 |
| 主权项 | 太阳能电池用晶片，其特征在于，在半导体晶片的至少一面上具有孔径为10nm以上且45nm以下，层厚为超过50nm且450nm以下的多孔质层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||