一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器

摘要

本发明属于半导体器件技术领域，具体为一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器及其制备方法。本发明依托于原有的电荷陷阱存储器三层结构，即隧穿层/电荷陷阱层/控制栅介质层结构，利用柔性衬底作为基底，采用氧化石墨烯取代了传统的电荷陷阱层。具体制备步骤为：使用低温原子层淀积方法，先在柔性衬底上淀积介质隧穿层，再在室温条件下旋涂氧化石墨烯，然后同样采用低温原子层淀积技术生长控制栅介质。本发明的优点是使用低温原子层淀积技术和室温旋涂氧化石墨烯的工艺，利用氧化石墨烯的特性，在保证擦写窗口的同时，大大降低了工艺热预算，为未来柔性电子器件提供了一种切实可靠的方案。

主权项

一种基于氧化石墨烯的柔性电荷陷阱存储器，其特征在于具体结构包括：由柔性材料组成的衬底；位于上述衬底之上的电荷隧穿层；位于电荷隧穿层之上的氧化石墨烯电荷陷阱层；位于氧化石墨烯电荷陷阱层之上的控制栅介质阻止层。