发明名称 |
与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法及隔离腔体 |
摘要 |
本发明提供一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法,包括步骤:提供腔体基底,其上形成阻挡层;刻蚀阻挡层和腔体基底,形成槽;在阻挡层表面和槽侧壁与底部淀积保护层;去除阻挡层表面和槽底部的保护层,在槽侧壁形成侧壁保护层;以阻挡层和侧壁保护层为掩膜,形成深槽;湿法腐蚀深槽,在腔体基底内形成腔体;提供覆盖基底,其中形成缺陷层,从中划分出一表层基底;将覆盖基底和腔体基底键合,腔体与外界隔离;以缺陷层为界,将表层基底与覆盖基底分开。相应地,本发明还提供一种隔离腔体。本发明属于正面工艺,与传统半导体工艺兼容。其实现方式简单,形成腔体后的基底厚度大大减薄。不但能降低制造费用,而且与器件小型化趋势相符。 |
申请公布号 |
CN102259828B |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201110185897.6 |
申请日期 |
2011.07.04 |
申请人 |
上海先进半导体制造股份有限公司 |
发明人 |
谢志峰;张挺;邵凯 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I;B81B1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
上海专利商标事务所有限公司 31100 |
代理人 |
陈亮 |
主权项 |
一种与半导体工艺兼容的制造隔离腔体的方法,包括步骤:提供腔体基底,在所述腔体基底上形成阻挡层;依次刻蚀所述阻挡层和所述腔体基底,在所述腔体基底上形成槽;在所述阻挡层的表面和所述槽的侧壁与底部淀积保护层;去除所述阻挡层的表面和所述槽的底部的保护层,在所述槽的侧壁形成侧壁保护层;以所述阻挡层和所述侧壁保护层为掩膜,继续刻蚀所述槽,形成深槽;采用湿法腐蚀法腐蚀所述深槽,在所述腔体基底的内部形成腔体;提供覆盖基底,在所述覆盖基底中形成缺陷层,所述覆盖基底被所述缺陷层从中划分出一表层基底;将所述覆盖基底和所述腔体基底面对面进行键合,将所述腔体与外界隔离;以所述缺陷层为界,将所述表层基底与所述覆盖基底分割开,所述表层基底仍保留于所述腔体基底的表面,继续封闭所述腔体。 |
地址 |
200233 上海市徐汇区虹漕路385号 |