发明名称 |
在电绝缘或半导电的衬底中生成孔或凹进或井的方法 |
摘要 |
本发明涉及在电绝缘的或半导电的衬底中生成孔或凹进或井或其阵列的方法。本发明也涉及由所述方法在衬底中生成的孔或井或凹进的阵列。本发明同样涉及用于执行根据本发明的所述方法的装置。 |
申请公布号 |
CN103492139A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201280018781.6 |
申请日期 |
2012.07.12 |
申请人 |
旭硝子株式会社 |
发明人 |
克里斯蒂安·施密特;莱安德·迪特曼;阿德里安·柴泽;斯文德·霍耶 |
分类号 |
B26D5/00(2006.01)I;B26F1/28(2006.01)I;B23K26/382(2014.01)I;B23K26/402(2014.01)I;H01L21/00(2006.01)I |
主分类号 |
B26D5/00(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
关兆辉;谢丽娜 |
主权项 |
一种在电绝缘或半导电衬底中生成孔或凹进或井或其连续的线状结构或阵列的方法,包括步骤:a)提供室温下为电绝缘或半导电的衬底,并将所述衬底放置在两个电极之间;b)通过使用热源加热所述衬底的一定体积的材料而使所述一定体积的材料熔化,所述一定体积的材料从所述衬底的第一表面全部或局部延伸到所述衬底的第二表面,所述第二表面与所述第一表面相反,c)通过使用两个电极在所述衬底的两端施加电压而去除由步骤b)产生的熔化的材料的所述一定体积的材料,所述两个电极连接到用户控制的电压源、并且被放置成离所述衬底具有一段距离且位于所述衬底的相反侧面上,从而将限定量的电能施加到所述衬底,并且从所述衬底耗散所述电能,其中,耗散所施加的电能的速率受控于至少一个电流和/或功率调制元件,所述至少一个电流和/或功率调制元件为所述电压源和这些电极之间的电连接部的一部分,其中,所述电流和/或功率调制元件为电阻器、电容器或电感器、或者前述的任意组合,附带条件是如果仅有一个电流和/或功率调制元件,则其不是欧姆电阻器。 |
地址 |
日本东京 |