发明名称 |
薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,该薄膜晶体管阵列基板采用顶栅结构,该薄膜晶体管阵列基板的制造方法通过3次掩模来制造TFT阵列基板,其中以铟镓锌氧化物来制造薄膜晶体管阵列基板中的薄膜晶体管,可以大大提高薄膜晶体管对像素电极的充电速率,提高像素的响应速度,实现更快的刷新率,同时更快的响应也大大提高了像素的行扫描速率,使得超高分辨率在薄膜晶体管液晶显示器中成为可能;同时,该制造方法仅采用了3次掩模工艺,能显著的减少制程步骤,缩短制程时间,有效地降低生产成本,提高生产效率,增加产能。 |
申请公布号 |
CN103489828A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310462524.8 |
申请日期 |
2013.09.30 |
申请人 |
深圳市华星光电技术有限公司 |
发明人 |
王俊 |
分类号 |
H01L21/77(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I;H01L29/24(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/77(2006.01)I |
代理机构 |
深圳市德力知识产权代理事务所 44265 |
代理人 |
林才桂 |
主权项 |
一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法,其特征在于,该薄膜晶体管阵列基板采用顶栅结构,所述薄膜晶体管阵列基板的制造方法包括以下步骤:步骤1、提供一基板(21);步骤2、在所述基板(21)上依次沉积形成缓冲层(22)、氧化物半导体薄膜(23)及第一金属层(24);步骤3、在所述第一金属层(24)上形成第一光阻层,图案化该第一光阻层以在预定位置形成第一光阻图案(25),其包括对应氧化物半导体薄膜(23)的一沟道区的第一部分(26)、及第二部分(27),该第一光阻图案(25)在第二部分(27)的厚度厚于第一部分(26)的厚度;步骤4、蚀刻掉没有第一光阻图案(25)覆盖的区域的第一金属层(24)及氧化物半导体薄膜(23),去掉第一光阻图案(25)的第一部分(26)以露出第一金属层(24),以第一光阻图案(25)的第二部分(27)为掩模蚀刻掉第一金属层(24)以露出氧化物半导体薄膜(23),剥离第一光阻图案(25),以在第一金属层(24)形成源极(27)及漏极(28);步骤5、在基板上依次沉积绝缘层(31)及第二金属层(32),图案化第二金属层(32)以形成栅极(33)。 |
地址 |
518132 广东省深圳市光明新区塘明大道9—2号 |