一种阵列基板的制作方法

摘要

本发明公开了一种阵列基板的制作方法，涉及显示技术领域，为简化制作工艺的同时保证刻蚀质量而设计，所述制作方法包括：在基板上依次形成屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中NMOS栅极；在前述基板上形成驱动区域中的PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极在同一层，并同时形成公共电极连接区域中的第一过孔，所述第一过孔用于连接屏蔽层和源漏电极层；在前述基板上形成中间绝缘层，并形成公共电极连接区域中的第二过孔和显示区域及驱动区域中的第三过孔，所述第二过孔与所述第一过孔的位置相同用于连接屏蔽层和源漏电极层，所述第三过孔用于连接有源层和源漏电极层；在前述基板上形成源漏电极层。本发明适用于阵列基板的制造过程中。

主权项

一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：步骤1、在基板上依次形成屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中的NMOS栅极,然后将磷离子注入有源层；步骤2、在形成有屏蔽层、缓冲绝缘层、有源层、栅绝缘层和显示区域及驱动区域中的NMOS栅极的基板上形成驱动区域中的PMOS栅极，所述NMOS栅极和PMOS栅极在同一层，并同时形成公共电极连接区域中的第一过孔，所述第一过孔用于连接屏蔽层和源漏电极层，然后将硼离子注入有源层；步骤3、在形成有驱动区域中的PMOS栅极和公共电极连接区域中的第一过孔的基板上形成中间绝缘层，并形成公共电极连接区域中的第二过孔和显示区域及驱动区域中的第三过孔，所述第二过孔与所述第一过孔的位置相同用于连接屏蔽层和源漏电极层，所述第三过孔用于连接有源层和源漏电极层；步骤4、在形成有中间绝缘层、公共电极连接区域中的第二过孔和显示区域及驱动区域中的第三过孔的基板上形成源漏电极层。