发明名称 |
耐辐射倒置变质多结太阳能电池 |
摘要 |
本申请案涉及耐辐射倒置变质多结太阳能电池。一种多结太阳能电池包含:第一太阳能子电池,其具有第一带隙及第一短路电流;第二太阳能子电池,其安置于所述第一太阳能子电池上方且具有大于所述第一带隙的第二带隙及比所述第一短路电流大在2%到6%的范围内的量的第二短路电流;第三太阳能子电池,其安置于所述第二太阳能子电池上方且具有大于所述第二带隙的第三带隙及比所述第一短路电流小在2%到6%的范围内的量的第三短路电流;及第四太阳能子电池,其安置于所述第三太阳能子电池上方,具有大于所述第三带隙的第四带隙及比所述第三短路电流小在6%到10%的范围内的量的第四短路电流,使得在AMO空间环境中在所述多结太阳能电池的“寿命结束”状态下,所述子电池中的每一者的所述短路电流大致相同。 |
申请公布号 |
CN103489950A |
申请公布日期 |
2014.01.01 |
申请号 |
CN201310225092.9 |
申请日期 |
2013.06.07 |
申请人 |
安科太阳能公司 |
发明人 |
普拉温·帕特尔;本杰明·邱 |
分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I;H01L31/0693(2012.01)I |
主分类号 |
H01L31/0687(2012.01)I |
代理机构 |
北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 |
代理人 |
齐杨 |
主权项 |
一种多结太阳能电池,其包括:第一太阳能子电池,其由InGaAs构成且具有第一带隙及第一短路电流;第二太阳能子电池,其由InGaAs构成,安置于所述第一太阳能子电池上方且具有大于所述第一带隙的第二带隙及比所述第一短路电流大在2%到6%的范围内的量的第二短路电流;第三太阳能子电池,其由GaAs构成,安置于所述第二太阳能子电池上方且具有大于所述第二带隙的第三带隙及比所述第一短路电流小在2%到6%的范围内的量的第三短路电流;及第四太阳能子电池,其由InGaP构成,安置于所述第三太阳能子电池上方,具有大于所述第三带隙的第四带隙及比所述第三短路电流小在6%到10%的范围内的量的第四短路电流,使得在AM0空间环境中在所述多结太阳能电池的“寿命结束”状态下,所述子电池中的每一者的所述短路电流大致相同。 |
地址 |
美国新墨西哥州 |