| 发明名称 | 薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板 | ||
| 摘要 | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板，涉及显示技术领域，解决了薄膜晶体管经修复后不能正常工作，以及包括该薄膜晶体管的阵列基板经修复后像素单元成为暗点，影响阵列基板良品率的技术问题。该薄膜晶体管包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极包括相互独立的第一源极部和第二源极部，所述第一源极部和所述第二源极部分别与所述有源层电连接；和/或，所述漏极包括相互独立的第一漏极部和第二漏极部，所述第一漏极部和所述第二漏极部分别与所述有源层电连接。本发明还提供了一种该薄膜晶体管的制作方法、修复方法和包括该薄膜晶体管的阵列基板。 | ||
| 申请公布号 | CN103489923A | 申请公布日期 | 2014.01.01 |
| 申请号 | CN201310484547.9 | 申请日期 | 2013.10.16 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 | 发明人 | 金基用;罗丽平;许朝钦;李正勋 |
| 分类号 | H01L29/786(2006.01)I;H01L29/417(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/786(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人 | 申健 |
| 主权项 | 一种薄膜晶体管，包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述源极包括相互独立的第一源极部和第二源极部，所述第一源极部和所述第二源极部分别与所述有源层电连接；和/或，所述漏极包括相互独立的第一漏极部和第二漏极部，所述第一漏极部和所述第二漏极部分别与所述有源层电连接。 | ||
| 地址 | 100015 北京市朝阳区酒仙桥路10号 | ||