采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构

摘要

通过利用鳍式场效应晶体管(FinFET)形成工艺中的各个工艺步骤，在包括FinFET的IC器件中形成二极管和双极结型晶体管(BJT)。二极管或BJT包括隔离鳍区域和鳍阵列区域，具有不同深度的n阱和位于鳍阵列区域的一部分中并围绕隔离鳍区域中的n阱的p阱。与FinFET的n阱和p阱一起注入二极管和BJT的n阱和p阱。本发明提供了采用鳍式场效应晶体管工艺的同质结二极管结构。

主权项

一种二极管，包括：半导体衬底，具有位于隔离鳍区域中的多个鳍和位于鳍阵列区域中的多个鳍阵列；位于所述隔离鳍区域中的n阱，该n阱具有n阱深度；位于所述隔离鳍区域中的p阱，该p阱位于所述n阱的下方；以及位于所述鳍阵列区域中的p阱，该p阱的p阱深度大于所述n阱深度，并且该p阱与位于所述隔离鳍区域中的p阱相连；其中，所述隔离鳍区域中的鳍间距大于约0.3微米，并且所述鳍阵列区域中的阵列内鳍间距小于约50纳米(nm)。