一种功率半导体器件及其制造方法

摘要

本发明涉及电子技术，具体的说是涉及一种电导调制型功率半导体器件及其制造方法。本发明的功率半导体器件，在器件终端n型缓冲层与p型集电区之间引入了一层氧化层，所述氧化层将终端区域n型缓冲层与p型集电区完全隔离，可以显著降低终端区域的空穴注入效率，抑制关断过程中终端等位环处的电流集中效应，降低等位环附近的温度，抑制器件终端的热击穿和动态雪崩击穿，改善器件的关断特性，提高可靠性。本发明尤其适用于功率半导体器件。

主权项

一种功率半导体器件，包括有源区和终端结构，所述终端结构包括N‑漂移区（9）、N型缓冲层（10）、p型集电区（11）、金属集电极（3）、P型等位环（6）、P型场限环（7）和N型截止环（8）；其中N型缓冲层（10）位于N‑漂移区（9）和p型集电区（11）之间，p型集电区（11）位于N型缓冲层（10）和金属集电极（3）之间；所述P型等位环（6）位于靠近有源区的N‑漂移区（9）中，P型等位环（6）与有源区金属发射极等电位连接；所述N型截止环（8）位于远离有源区的N‑漂移区（9）中；P型等位环（6）和N型截止环（8）之间的N‑漂移区（9）中具有若干P型场限环（7）；P型等位环（6）、P型场限环（7）、N型截止环（8）和N‑漂移区（9）的表面具有场氧化层（13），场氧化层（13）表面与P型等位环（6）、P型场限环（7）和N型截止环（8）对应的位置处分别具有金属场板（12）；其特征在于，还包括氧化层（14），所述氧化层（14）设置在n型缓冲层（10）和p型集电区（11）之间，将n型缓冲层（10）与p型集电区（11）完全隔离。