发明名称 低温离子布植技术
摘要 一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中,所述技术可表现为低温离子布植装置。此装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。此装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。此装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信,藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中,对冷却后的晶圆进行离子布植制程。
申请公布号 TW200818279 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW096128193 申请日期 2007.08.01
申请人 瓦里安半导体设备公司 发明人 沃特;默卡;布雷克 朱利安;英格兰 乔纳森;墨菲;利伯特
分类号 H01L21/265(2006.01) 主分类号 H01L21/265(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 美国