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发明名称
低温离子布植技术
摘要
一种低温离子布植技术。在一特定较佳实施例中,所述技术可表现为低温离子布植装置。此装置可包含预冷站。预冷站靠近离子布植机中的终端站。此装置也可包含位于预冷站内的冷却机构。此装置可更包括与预冷站和终端站相连接的装载组件。所述装置可另包括控制器。控制器与装载组件及冷却机构通信,藉以将晶圆载入预冷站、使晶圆冷却到预定温度范围以及将冷却后的晶圆载入终端站。在终端站中,对冷却后的晶圆进行离子布植制程。
申请公布号
TW200818279
申请公布日期
2008.04.16
申请号
TW096128193
申请日期
2007.08.01
申请人
瓦里安半导体设备公司
发明人
沃特;默卡;布雷克 朱利安;英格兰 乔纳森;墨菲;利伯特
分类号
H01L21/265(2006.01)
主分类号
H01L21/265(2006.01)
代理机构
代理人
詹铭文;萧锡清
主权项
地址
美国
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