发明名称 半导体元件及其制造方法
摘要 一种半导体元件的制造方法,此方法是在基底上形成电晶体并在闸极导体层与源极/汲极区的表面上形成金属矽化物,然后,进行一表面处理步骤,以选择性在金属矽化物的表面形成一保护层。其后,以保护层为罩幕,去除一部份的间隙壁,以缩减间隙壁的宽度。其后,再于基底上形成一应力层。
申请公布号 TW200818253 申请公布日期 2008.04.16
申请号 TW095137082 申请日期 2006.10.05
申请人 联华电子股份有限公司 发明人 谢朝景;张俊杰;洪宗佑
分类号 H01L21/02(2006.01) 主分类号 H01L21/02(2006.01)
代理机构 代理人 詹铭文;萧锡清
主权项
地址 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号