发明名称 | 半导体元件及其制造方法 | ||
摘要 | 一种半导体元件的制造方法,此方法是在基底上形成电晶体并在闸极导体层与源极/汲极区的表面上形成金属矽化物,然后,进行一表面处理步骤,以选择性在金属矽化物的表面形成一保护层。其后,以保护层为罩幕,去除一部份的间隙壁,以缩减间隙壁的宽度。其后,再于基底上形成一应力层。 | ||
申请公布号 | TW200818253 | 申请公布日期 | 2008.04.16 |
申请号 | TW095137082 | 申请日期 | 2006.10.05 |
申请人 | 联华电子股份有限公司 | 发明人 | 谢朝景;张俊杰;洪宗佑 |
分类号 | H01L21/02(2006.01) | 主分类号 | H01L21/02(2006.01) |
代理机构 | 代理人 | 詹铭文;萧锡清 | |
主权项 | |||
地址 | 新竹市新竹科学工业园区力行二路3号 |